opto-elektronischen Displays elektrooptischen Eigenschaften und die absoluten Höchstwerte (ta = 25c)

Opto-elektronischen Displays Elektrooptischen Eigenschaften Und Die Absoluten Höchstwerte (ta = 25c)

elektrooptische characteristice (ta=25°C)

PARAMETER	SYMBOL	DEVICES	TYP.	MAX.	UNIT	Testbedingung
Durchlaßspannung (ein Würfel pro Segmen / Punkt)	V_F	super hohe helle rote (AlGaInP)	2.0	2.4	V	IF=20mA
		Hoch leuchtend rot (gap / GaAlAs)	1.85	2.0
		orange rot (aaasp / gap)	2.05	2.4
		gelb (GaAsP / gap)	2.05	2.4
		gelb-grün (gap / gap)	2.2	2.6
		blau (gan)	3.3	3.8
Spitzenemissionswellenlänge	l_P	super hohe helle rote (AlGaInP)	640		nm	IF=20mA
		Hoch leuchtend rot (gap / GaAlAs)	660
		orange rot (aaasp / gap)	625
		gelb (GaAsP / gap)	585
		gelb-grün (gap / gap)	570
		blau (gan)	470
Spektrallinie Halbbreite	Dl	super hohe helle rote (AlGaInP)	20		nm	IF=20mA
		Hoch leuchtend rot (gap / GaAlAs)	20
		orange rot (aaasp / gap)	40
		gelb (GaAsP / gap)	35
		gelb-grün (gap / gap)	30
		blau (gan)	26
Rückstrom	I_R	super hohe helle rote (AlGaInP)		100	mA	V_r=5V
		Hoch leuchtend rot (gap / GaAlAs)		100
		orange rot (aaasp / gap)		100
		gelb (GaAsP / gap)		100
		gelb-grün (gap / gap)		100
		blau (gan)		100
Segment ssgment luminouslntensity Anpassungsverhältnis	I_vm	alle Modelle	1:1.5			IF=20mA

abso Laute der maximalen (ta:25°C)

PARAMETER	SYMNOL	HIGH BRIGHT RED	SUPER HIGH BRIGHT RED	YELLOW GREEN/ORANGE	YELLOW	BLUE	UNIT
Verlustleistung pro Würfel	Polster	50	65	65	65	120	mW
Derating linear ab 25°c pro Segment		0.20	0.25	0.27	0.27	0.33	mA/°C
kontinuierlicher Vorwärtsstrom pro Würfel	laf	25	25	30	25
Spitzendurchlassstrom pro Würfel	lpf	120	120	120	120	mA
Sperrspannung pro Chip	Vr	5	5	5	5	V
Betriebs temperatuer	Topr	-25°C bis + 85 ° C
LagerungTemperaturbereich	tstg	-25°C bis + 85 ° C
Löttemperatur	tsod	Blei Löttemperatur 260°Cbei 1,6 mm vom Körper für 3 Sekunden

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